TLP759

FOTOMOJAS LOGIC 8DIP T/H

Siųsti užklausą

Aprašymas

Techniniai parametrai

Susiję produktai:

Gamintojo dalis	TLP759	TLP759 (D4, J, F)	TLP759 (IGM, F)	TLP759 (J, F)
Aprašymas	OPTORAS, FOTOTRANZISTORIUS IŠVESTIS	OPTORAS, FOTOTRANZISTORIUS	OPTORAS, FOTOTRANZISTORIUS	OPTORAS, FOTOTRANZISTORIUS
Atsargos	80000	80000	80000	80000
Produkto būsena	Aktyvus	Aktyvus	Aktyvus	Aktyvus
Įtampa – izoliacija	5000 Vrms	5000 Vrms	5000 Vrms	5000 Vrms
Dabartinis perdavimo koeficientas (min.)	20% @ 16mA	20% @ 16mA	20% @ 16mA	20% @ 16mA
Dabartinis perdavimo koeficientas (maks.)
Įjungimo / išjungimo laikas (tipas)	200 ns, 300 ns	200 ns, 300 ns	200 ns, 300 ns	200 ns, 300 ns
Įvesties tipas	DC	DC	DC	DC
Išvesties tipas	1 MB tranzistorius	1 MB tranzistorius	1 MB tranzistorius	1 MB tranzistorius
Įtampa – išėjimas (maks.)	20V	20V	20V	20V
Srovė – išvestis / kanalas	8mA	8mA	8mA	8mA
Įtampa – pirmyn (Vf) (tipas)	1.65V	1.65V	1.65V	1.65V
Srovė – DC pirmyn (jei) (maks.)	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA
Darbinė temperatūra	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C
Pakuotė / Dėklas	DIP8 (7,62 mm)	DIP8 (7,62 mm)	DIP8 (7,62 mm)	DIP8 (7,62 mm)
Paketas	Vamzdis	Vamzdis	Vamzdis	Vamzdis

Bendras aprašymas:

TLP759(IGM) susideda iš GaAℓAs didelės galios šviesos diodo ir didelio greičio vieno lusto fotodiodo-tranzistoriaus detektoriaus.

Šis įrenginys yra 8 laidų DIP.

TLP759(IGM) neturi vidinės bazinės jungties, o į fotodetektoriaus lustą integruotas Faradėjaus skydas užtikrina veiksmingą bendrojo režimo trumpalaikį triukšmo atsparumą.

TLP759(IGM) garantuoja minimalų ir maksimalų sklidimo delsos laiką, perjungimo laiko sklaidą ir aukštą bendrojo režimo trumpalaikį atsparumą. Todėl TLP759(IGM) yra tinkamas izoliacijos sąsajai tarp IPM (išmaniojo maitinimo modulio) ir valdymo IC grandinių variklio valdymo programoje.

Populiarus Žymos: tlp759, Kinija tlp759 gamintojai, tiekėjai

Pora

TLP781(F)

Kitas

HCPL2531M

Siųsti užklausą

Tau taip pat gali patikti